晶圆级封装工艺流程（晶圆级封装技术）
晶圆级封装技术
晶圆级封装是集成电路制造中的重要步骤，它将芯片连接到封装基板上，并为芯片提供保护和支持。本文将介绍晶圆级封装的工艺流程，包括成型、薄膜沉积和蒸镀。
成型
成型是晶圆级封装的重要流程之一，它指的是将基板和芯片结合起来。首先，需要将挡板放在基板上，以确保基板的平整度。接着将芯片放置在基板上，并使用电路粘贴剂将芯片连接到基板上。
接下来是烤炉干燥流程，该过程利用高温将电路粘贴剂烤干，使其牢固地连接在基板上。此外，在干燥过程中，挡板上的开口可以排出剩余的气体，保证连接的强度和稳定性。最后，移除挡板，基板和芯片的组合即完成了成型。
薄膜沉积
在成型后，需要对芯片进行保护。薄膜沉积是一种常用的保护芯片的方法。该过程利用电解池和电化学反应在芯片表面形成一层保护膜。
在薄膜沉积过程中，先将芯片表面清洁干燥。随后，放入电解池中，注入金属离子的溶液。通过电化学反应，金属离子逐渐沉积在芯片表面形成保护膜。整个薄膜沉积过程需要控制电流和时间，以确保膜厚、膜质量和均匀性。
蒸镀
在薄膜沉积后，需要在芯片表面蒸镀一层金属。蒸镀可以使电路获得更好的传输性能，并防止尘埃、水分和化学物质的侵蚀。蒸镀需要在真空和高温下进行。
在蒸镀过程中，金属原子从蒸镀源中释放，经过真空管道到达芯片表面。金属原子在芯片表面形成膜，在高温下结晶形成连续蒸镀层。与薄膜沉积一样，蒸镀过程需要精确控制真空、温度和时间，以确保蒸镀层的质量和均匀性。
便是晶圆级封装的工艺流程。该流程涉及多个细节和参数，需要在生产中严格控制。通过这些步骤，芯片可以获得稳定、可靠的保护，以及更好的电路传输性能。
